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材料简介
Introduction
以高纯度SiCl4为原料,
采用氢氧焰熔制而成,产品无气泡,具有良好的光学性能。广泛应用于高端光学领域。
杂质含量
Chemical purity
杂质元素典型值 (ppm)
Al
<0.05
Ca
<0.02
Cu
<0.005
Fe
<0.005
Ti
<0.01
Mn
<0.01
K
<0.01
Na
<0.02
OH
900-1300
外观指标
Appearance
项目
气泡
200nm透过率
外观颜色
表面污染物
指标
无肉眼可见气泡(或100倍以上高倍镜检测无直径或长度0.03mm以上气泡)。
≥85%
外表面颜色均匀,无杂色;涂红油后内部无色透明。
无有毒有害残渣
物理性能
Physical Property
力学性能
密度(g/cm³)
杨氏模量(GPa)
泊松比
抗弯强度(MPa)
抗压强度(MPa)
抗拉强度(MPa)
抗扭强度(MPa)
莫氏硬度
2.2
74
0.17
65
1300
49
29
6-7
电学性能
介电常数
介电损耗
电阻率(Ω.cm)
3.7
0.0002
1×1016
热学性能
应变点(η=1014.5 ℃)
退火点(η=1013 ℃)
软化点(η=107.8 ℃)
热导率(W/m·k)(20℃)
比热(J/kg.k)
热扩散率(x10-7·m2/s)
热膨胀系数(x10 -7/k)
α :25℃~320 ℃
1070
1150
1670
1.24
749
7.5
5.2-5.8
透过率曲线
Transmittance Curve
Thickness 10mm
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